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亚科电子-超高分辨率电子束光刻EBL
超高分辨率的电子束光刻
亚科电子-超高分辨率的电子束光刻
电子束光刻
电子束光刻系统(EBL)
PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备
PICOSUN®Morpher原子层沉积系统ALD
PICOSUN®P-1000原子层沉积系统ALD
PICOSUN®P-300S原子层沉积系统ALD
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光学仪器及设备
聚焦离子束(Xe)扫描电镜FERA -XM
聚焦离子束(Xe)扫描电镜FERA -GM
聚焦离子束(Xe)扫描电镜FERA
场发射扫描电镜MIRA-LM
场发射扫描电镜MIRA XM
场发射扫描电镜MIRA- GM
场发射扫描电镜MIRA-GM
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ContourX-500 3D计量的全自动台式
ContourX-500 3D光学轮廓仪
ContourX-200 3D光学轮廓仪
ContourX-100 3D粗糙度测量精简而经济
ContourX-100 3D光学轮廓仪
多功能材料力学测试系统UMT
ContourGT-K 3D光学显微镜
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美国MARCH AP-300等离子系统—紧凑型、桌面式
美国MARCH AP-1000等离子清洗系统
MARCH AP-600等离子系统紧凑型、桌面式
研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570
法国IBS IMC210中束流离子注入机
AP-600等离子系统-紧凑型、桌面式等离子处理设备
SPTS深硅刻蚀设备
RAITH电子束曝光设备
RIE反应离子刻蚀SI 591
ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀SI 500
X射线仪器
Nordson Dage Quadra™ 3 X-射线检测系统
Nordson Dage X-射线检测系统XD7800NT
Quadra™ 7 X-射线检测系统
Nordson Dage Quadra™ 5 X-射线检测系统
Nordson DAGE Quadra X光检查机
QC3高分辨率X射线衍射仪
Jordan Valley Delta-X多功能的X射线衍射设备
X射线单晶衍射仪
比表面积测定仪
Hysitron TI定量纳米力学研究
布鲁克BRUKER纳米力学测试设备Bruker TI 950
Bruker Hysitron TI 980纳米压痕仪
Hysitron TS 77 Select纳米压痕仪
布鲁克高精度纳米力学测试系统TI 980
Bruker微纳压痕划痕测试仪CETR-Apex
无损检测/无损探伤仪器
超声波扫描显微镜:C-SAM检测系统
Sonoscan D9600 C-SAM超声波扫描显微镜
Sonoscan超声波扫描显微镜Gen7 C-SAM检测系统
Nordson Dage Quadra 5 X-射线检测系统
Quadra系列X射线检测系统
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Nordson DAGE 4000Plus 焊接强度测试仪
Nordson DAGE 3800+焊接强度测试仪
摩擦磨损试验机UMT-TriboLab
芯片系统
微流控芯片加工:EVG 610单面/双面光刻机
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产品系列
Centrotherm 快速退火炉/快速热工艺设备-c.RAPID 150/RTP 150
Centrotherm 快速退火炉-c.RAPID 150
一、产品简介
德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商,尤其在高温设备领域。Centrotherm c.RAPID 150是一款高性能、多用途的快速退火设备,主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。
Centrotherm测温系统适用于从室温至高温的广泛区间。Centrotherm优化的多区温控系统结合可以独立控制的加热灯,提供了出色的控温精度和控温重复性。
此款设备配置手动装载系统,适用于研发以及小型的量产。
成熟的真空操作和气体管理系统为多种应用提供了可控的气体环境。出色的性能和高度的灵活性,结合小的占地面积,低的客户拥有成本,使c.RAPID 150成为一款**的手动RTP设备。
二、典型应用
退火:一般退火、接触层(Contact)退火、源/漏退火、势垒金属退火
硅化
氧化
掺杂活化
三、产品特性
可在常压或者真空(控压)下工作
高度灵活性:适用于**6寸的硅片或者可放置基片的6寸托盘
升温速率约150 K/s
出色的温度均匀性
精确的环境控制
高的设备可靠性
可以并排安装
Centrotherm 快速热工艺设备-RTP 150
一、产品简介
德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商,尤其在高温设备领域。Centrotherm RTP 150是一款高性能快速热工艺设备,主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。
RTP 150型快速热反应设备,采用紧凑型的真空腔室设计满足多种工艺需要,是一款可用于生产和研发用的单晶圆工艺设备。
RTP 150型设备包括一个带集成压力学习控制压力范围在1mbar至50mbar的真空腔室。采用灯管加热系统提供了可调节的加热均匀性控制,采用了CENTROTHERM公司**技术的温度控制系统。
RTP系统可用于6寸晶圆和5寸石墨基板的加热。可在15分钟内更换基板的尺寸和类型。
设备用于高性能、小占地面积、低成本高工艺灵活性的工艺场合。
设备特点:
压力可控的真空或大气环境下工作
高灵活性:**6寸硅片或其他材料
温度范围:20℃~1150℃
不限时加热的工艺温度可达 750℃
升温速率可达150k/s(即150℃/秒)
每个加热灯管独立控制,极高的温度均匀性
±0.5℃温度一致性
长寿命加热灯管,低维护成本
典型应用:
金属接触退火
掺杂物活化
源极/漏极退火
干氧化
薄晶圆退火
设备参数:
应用:生产或研发
基板材料:硅片、GaAs、石墨、碳化硅、氮化镓、蓝宝石
晶圆尺寸:**6寸
加热系统:24组加热灯,PWM控制
冷却水:20 L/分钟
排风:250 m3/小时
可选件:
用于温度曲线调整的温度测量系统
用于全自动操作的双机械手臂