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半导体行业专用仪器
CAMTEK自动光学检验EagleT-i
CAMTEK自动光学检验Eagle-AP
CAMTEK自动光学检验Eagle-I
CAMTEK半导体AOI设备
Trymax等离子灰化和蚀刻NEO200A平台
Trymax等离子灰化和蚀刻NEO300A平台
Trymax先进等离子灰化和蚀刻
TRYMAX等离子除胶机Neo2000
TRYMAX等离子除胶机NEO3000
TRYMAX等离子除胶机NEO2400
其他
亚科电子-超高分辨率电子束光刻EBL
超高分辨率的电子束光刻
亚科电子-超高分辨率的电子束光刻
电子束光刻
电子束光刻系统(EBL)
PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备
PICOSUN®Morpher原子层沉积系统ALD
PICOSUN®P-1000原子层沉积系统ALD
PICOSUN®P-300S原子层沉积系统ALD
PICOSUN®P-300BV原子层沉积系统ALD
光学仪器及设备
聚焦离子束(Xe)扫描电镜FERA -XM
聚焦离子束(Xe)扫描电镜FERA -GM
聚焦离子束(Xe)扫描电镜FERA
场发射扫描电镜MIRA-LM
场发射扫描电镜MIRA XM
场发射扫描电镜MIRA- GM
场发射扫描电镜MIRA-GM
钨灯丝扫描电镜VEGA-SB
钨灯丝扫描电镜VEGA-SBU - EasyProbe
钨灯丝扫描电镜VEGA LM
测量/计量仪器
三维光学显微镜
ContourX-500 3D计量的全自动台式
ContourX-500 3D光学轮廓仪
ContourX-200 3D光学轮廓仪
ContourX-100 3D粗糙度测量精简而经济
ContourX-100 3D光学轮廓仪
多功能材料力学测试系统UMT
ContourGT-K 3D光学显微镜
探针式表面轮廓仪
Bruker布鲁克Dektak XT桌面型探针式表面轮廓仪
制样/消解设备
美国MARCH AP-300等离子系统—紧凑型、桌面式
美国MARCH AP-1000等离子清洗系统
MARCH AP-600等离子系统紧凑型、桌面式
研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570
法国IBS IMC210中束流离子注入机
AP-600等离子系统-紧凑型、桌面式等离子处理设备
SPTS深硅刻蚀设备
RAITH电子束曝光设备
RIE反应离子刻蚀SI 591
ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀SI 500
X射线仪器
Nordson Dage Quadra™ 3 X-射线检测系统
Nordson Dage X-射线检测系统XD7800NT
Quadra™ 7 X-射线检测系统
Nordson Dage Quadra™ 5 X-射线检测系统
Nordson DAGE Quadra X光检查机
QC3高分辨率X射线衍射仪
Jordan Valley Delta-X多功能的X射线衍射设备
X射线单晶衍射仪
比表面积测定仪
Hysitron TI定量纳米力学研究
布鲁克BRUKER纳米力学测试设备Bruker TI 950
Bruker Hysitron TI 980纳米压痕仪
Hysitron TS 77 Select纳米压痕仪
布鲁克高精度纳米力学测试系统TI 980
Bruker微纳压痕划痕测试仪CETR-Apex
无损检测/无损探伤仪器
超声波扫描显微镜:C-SAM检测系统
Sonoscan D9600 C-SAM超声波扫描显微镜
Sonoscan超声波扫描显微镜Gen7 C-SAM检测系统
Nordson Dage Quadra 5 X-射线检测系统
Quadra系列X射线检测系统
试验机
Nordson DAGE 4000Plus 焊接强度测试仪
Nordson DAGE 3800+焊接强度测试仪
摩擦磨损试验机UMT-TriboLab
芯片系统
微流控芯片加工:EVG 610单面/双面光刻机
联系方式 |
产品系列
Electron Beam Lithography System(EBL)
电子束光刻系统
由于 EBL 刻写精度很高,因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间,因此电子束电流,电子束定位, 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要,这对大范围内的图形制备非常关键。
采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度,在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。
Stitching accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Overlay accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Stitching accuracy for slant L&S<10nm
该图是在2 英寸wafer 上,采用50 um 的图案进行拼接,写满整个片子,其拼接精度低于10 nm.(实验室数据)。
主要特点:
1.采用高亮度和高稳定性的TFE 电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(addresssize)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs 兼容工艺,研究用掩膜制造,纳米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix & Match),图形线宽和图形位移测量等。
电子束光刻*小线宽可达8nm,*小束斑直径2nm,套刻精度
20nm(mean+2σ),拼接精度20nm(mean+2σ)。
技术参数:1.*小线宽:小于10nm(8nmavailable) 2.加速电压:5-50kV
3. 电子束直径:小于2nm 4.套刻精度:20nm(mean+2σ) 5.拼接精度:20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)
7.描电镜分辨率:小于2nm
超高分辨率的电子束光刻
技术参数:
加速电压:**130keV
单段加速能力达到130keV,尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm *小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力
光束直径:<1.6nm①
*小线宽:7 nm(在130kV时)
加速电压:130 kV,110 kV或90 kV
载物台尺寸:8英寸晶圆(可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆)
我的特色
?Vacc:**130kV(25-130kV,5kV步进)
?单级加速能力高达130kV,以*小化EOC尺寸
?无放电电子枪
?光束直径:> 1.6nm
?细线能力:<7nm
?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像
?使用双热控制器实现超稳定的写入能力
I规格
电子发射器/
加速电压TFE(ZrO / W)Z25?130kV
*小光束直径/
*小线宽1.6nm / 7.0nm
扫描方式矢量扫描(x,y)(标准)
矢量扫描(r,6),光栅扫描,点扫描(可选)
高级光刻功能(可选)场尺寸调制光刻,轴向对称图案光刻
字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr)Z,SOOpmZ,600pm3(标准)1200pmZi,2400pmZi(可选)
20,000 x20,000点,60,000 x 60,OO点,96,000 x 96,OO点,
像素数240,000x 240,OO点©矢量扫描(标准)
10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描(可选)
*小地址大小10nm @ 600pmZfield,2nm @ 120pmZfield(标准)
0.0012nm@600pmZfield(可选)
尺寸为4、6、8英寸的工件>(其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装)
■拼接业纭苏•50nm(3u)@ 600pmZ,20nm(2a)@ 60pmZ
重叠精度50nm(3o)@ 600pmZ
CAD软件专用CAD(标准),GDS n转换(可选),DXF转换(可选)
操作系统Windows