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研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570
法国IBS IMC210中束流离子注入机
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Nordson Dage Quadra™ 3 X-射线检测系统
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X射线单晶衍射仪
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产品描述
法国IBSIMC210中束流离子注入机
离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。
特点:
l精确控制离子束流
l精确控制加速电压
l占地小, 操作简单, 运行成本低
l特别适合于研发应用
l适用于4”~6”晶片,*小可用于1*1cm2样品(室温)
l4”热注入模式,**温度可达600度
l2个带有蒸发器的Freeman离子源,可使温度达750度
l1个Bernas离子源
l非凡的铝注入能力
l一个主气箱,配有4个活性气体管路;一个副气箱,配有4个中性气体管路
l高价样品注入能力
l注入角0~15度
lIBS特有的矢量扫描系统
l手动装载/卸载用于标准注入和热注入,自动25片cassette 装载用于标准腔室
l远程操作控制接触屏(5米链接线缆)
l辐射低于0.6usv/hour
工艺性能